NXP推出2mm x 2mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET
作者：admin 2012/6/20 13:36:34 字体 【大 中 小】
作者：admin 2012/6/20 13:36:34 字体 【大 中 小】
恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN （分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。
即将面世的新型 PMPB11EN和 PMPB20EN 30V N沟道MOSFET是采用恩智浦 DFN2020MD-6 (SOT1220) 封装的20多类器件中率先推出的两款产品。这两款MOSFET的最大漏极电流(ID)大于10A，10V时的超低导通电阻Rds(on)分别为12 mOhm（典型值）和16.5 mOhm（典型值），因此导通损失小，功耗更低，电池使用寿命更长。
新型DFN2020 MOSFET高度仅为0.6毫米，比当今市场上大多数2 mm x 2 mm的产品更加轻薄，是智能手机和平板电脑等便携应用设备中超小型负载开关、电源转换器和充电开关的理想之选。该款MOSFET还适用于其他空间受限应用，其中包括直流电机、服务器和网络通信以及LED照明，在这类应用中功率密度和效率尤为关键。DFN2020的封装尺寸仅为标准SO8封装的八分之一，提供与其相当的热阻，能够代替具有相同导通电阻Rds(on)值范围的许多大型MOSFET封装，如SO8封装、3 mm x 3 mm封装或TSSOP8封装。
新型MOSFET提升了恩智浦超小型无引脚MOSFET产品线，截止到今年年末将有超过60种封装，封装尺寸为2 mm x 2 mm或1 mm x 0.6 mm。如今，恩智浦是超小型低导通电阻Rds(on) MOSFET的主要生产商，提供电平场效应晶体管(FET)和双极晶体管技术。
上一篇：时代创兴北戴河快乐之旅 下一篇：高通推出"全球模"4G芯片
相关文章
- 高通推出"全球模"4G芯片12-17
- TI推出数字电流传感器及电压监控...10-21
- SIA：5月全球芯片市场销售表现优...07-12
- 美首次制造出不使用半导体的晶体...07-04
- TI推出业界最小的低功耗双通道按...07-04
- 2013深圳国际电子工程师展展会06-14
- Linear推出精准运算放大器 LTC6...02-21
- 欧姆龙联合ST打造MEMS燃气流量传...10-16
- 欧姆龙收购继电器厂商上海贝斯特...10-16
- 欧姆龙NJ控制器在太阳能线切割机...10-16
- TI推出三款模拟输入D类立体声放...07-06
- TI推出具有集成型数模转换器与电...06-26
地址：北京市海淀区苏州街12号西屋国际B座901室
全国统一服务热线：4000-8899-03
联系电话：010-51262588 010-82873050/51
传真：010-82873917 E-mail:lusi@ic-times.com
QQ：1056230721李总，442636166吴经理，245754136王经理，691711575洪生 北京时代创兴电子技术有限公司 版权所有
网站备案号：京ICP备05014593号-2 云市场
全国统一服务热线：4000-8899-03
联系电话：010-51262588 010-82873050/51
传真：010-82873917 E-mail:lusi@ic-times.com
QQ：1056230721李总，442636166吴经理，245754136王经理，691711575洪生 北京时代创兴电子技术有限公司 版权所有
网站备案号：京ICP备05014593号-2 云市场
诚征IC各地代理招商加盟：深圳 广州 北京 上海 东莞 佛山 中山 顺德 杭州 温州 武汉 长沙 南京 大连 长春 西安 郑州 沈阳
